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產品詳情
SI APD雪崩光電探測器
AD100-8 TO

圓形有源區APD芯片直徑為100μm。 該裝置為透明玻璃窗的密封TO52包裝。其中根據定制要求,兩種TO52類型可供選擇。

產品特點:

 APD具有0.008mm2的有效面積

 100μm直徑有效面積

 低偏置電壓時的高增益

 快速上升時間,低電容

 zui佳增益:50-60

絕對zui大額定值:

符號

參數

zui小值

zui大值

單位

TSTG

Storage temp

-55

125

TOP

Operating temp

-40

100

Mmax

Gain IPO=1 nA

-200

 

 

IPEAK

Peak DC current

 

0.25

mA

光電參數@23℃:

符號

特性

測試條件

zui小值

典型值

zui大值

單位

 

有效區域

 

直徑 100

um

 

有效區域

 

0.00785

mm2

ID

暗電流

M=100

 

0.05

0.1

nA

C

電容

M=100

 

0.5

 

pF

 

響應

M=100λ=800nm

45

50

 

A/W

tR

上升時間

M=100λ=905nmRL=50

 

 

0.18

ns

 

截止頻率

-3dB

2

 

 

GHz

VBR

擊穿電壓

IR=2uA

80

 

160

v

 

溫度系數

VBR隨時間變化

0.35

0.45

0.55

V/K

 

過大噪聲因素

M=100

 

2.2

 

 

 

過大噪聲指數

M=100

 

0.2

 

 

光譜響應圖(M=100):

量子效應(23℃)                                      電容為反偏壓(23°C)                

乘積作為偏壓(23°C,60℃)                   暗電流為偏壓(23℃,60℃)

應用提示:

 電流應受到電源內部的保護電阻或電流限制 - IC限制

 對于低光照應用,應使用環境光的遮擋

 對于高增益應用,偏置電壓應進行溫度補償

 處理時請考慮基本的ESD保護

 使用低噪聲讀出 - IC

 有關更多問題,請參閱文檔“處理和處理說明”

 zui佳增益:50-60


封裝圖:

包裝尺寸:少量:泡沫墊,盒裝(12厘米x 16.5厘米)


產品應用:

 激光測距儀

 高速光度測定

 高速光通信

 醫用器材