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產品詳情
高功率105010601080的芯片
產品特點:

 zui具性價比的外腔調諧激光器用方案

 增益芯片有傾斜的條狀區并且在兩端都有抗反射涂層

詳細參數

Part number

Tuning Range

Output power

GC-1055-TO-400

70 nm

400 mW

GC-1060-100

100 nm

200 mW

GC-1075-TO-250

80 nm

250 mW

GC-1113-TO-250

30 nm

250 mW

GC-1156-TO-200

30 nm

200 mW

GC-1178-TO-200

50 nm

200 mW

GC-1180-CM-200

100 nm

200 mW

GC-1220-CM-100

130 nm

100 mW

GC-1260-TO-150

40 nm

150 mW

產品簡介:

德國Innolume公司可以提供1060nm-1320nm波長范圍內的任意波長的增益芯片。Innolume公司研究量子點激光器技術已經有幾十年歷史,也是目前世界上唯一采用量子點激光器技術的公司。
增益芯片是制作可調半導體激光器和高穩定度外腔調諧半導體激光器的不可缺少的器件。增益芯片跟半導體激光器芯片很類似,只是在一個或者兩個端面上有很深的抗反射鍍膜。這個鍍膜可以顯著的提高或者消減自發激光的閾值。

典型的外腔調諧半導體激光器結構是LittrowLittman/Metcalf 結構。

Innolume提供兩種增益芯片產品:
       1. 單面AR鍍膜產品(類型AB
       2. 雙面AR鍍膜產品(類型CD
    單面AR鍍膜的光學增益芯片非常適合制作光從外腔輸出的結構,通常提供TO封裝。
    雙面AR鍍膜增益芯片可以讓光從另一側輸出,從而減少光損耗,得到類似放大器的光學結構。
A型增益芯片采用了直的端面激光條,一個端面有高反涂層,另一個端面有高透涂層(Antireflecting)。A型芯片是zui具性價比的 外腔調諧激光器用方案。典型的A型增益芯片具有對稱的光束遠場,因此可以很高效率的耦合進外腔。這種類型的增益芯片具有相對低的增益波譜紋波,
B型增益芯片具有具有彎形的條狀區域在普通面有高反的涂層,在斜型面分有抗反射涂層。彎曲的條狀區域配合抗反射涂層使得這種結構有了非常 低的反射(<10E-5,從而壓縮了自發激光并減小了增益紋波。這種結構的類型的缺點是彎曲的條狀區域產生的光束為變形的,因此會提高耦合難度。 在耦合處必須使用高數值孔徑的非球面鏡才能得到比較好的耦合效率。
C型增益芯片具有彎曲的條狀區域,在傾斜面有抗反射涂層,普通面有數個百分比的反射。波長選擇反饋可以放置在傾斜面(這樣效果類似B型增益芯片)。輸出則通過普通面。這樣的設計可以通過高功率和較好的光束,
D型增益芯片有傾斜的條狀區并且在兩端都有抗反射涂層,通常這種結構是專門為了集成高級的光學器件,例如增加放大器。
產品應用:

 外腔調諧激光器

 可調波長激光器
 光纖傳感器

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