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■ 平面正照結構
■ 快速響應
■ 低暗電流
■ 高響應度
■ 高可靠性
|
參數 |
符號 |
測試條件 |
典型值 |
單位 | ||||||
|
光敏面直徑 |
Φ |
|
0.2 |
0.5 |
1.0 |
2.0 |
4.0 |
mm | ||
|
光參數 |
光譜響應范圍 |
λ |
|
400~1100 |
nm | |||||
|
響應度 |
Re |
VR=40V,λ=1060nm |
0.20 |
0.20 |
0.20 |
0.23 |
0.23 |
A/W | ||
|
響應時間 |
tr |
VR=40V, RL=50Ω |
2 |
5 |
6 |
|
12 |
nS | ||
|
電參數 |
暗電流 |
ID |
VR=40V |
1 |
5 |
7 |
10 |
40 |
nA | |
|
反向擊穿電壓 |
VBR |
IR=10μA |
80 |
100 |
80 |
100 |
100 |
V | ||
|
電容 |
Cj |
f=1MHz,VR=40V |
0.5 |
0.7 |
1.2 |
4.5 |
12 |
pF | ||
|
工作電壓 |
VR |
|
40 |
V | ||||||
|
管座型號 |
|
|
T0-5 |
T0-5 |
T0-5 |
T0-5 |
T0-8 |
| ||
|
飽和光功率lb0.3w/cm2 | ||||||||||
◆ 器件在反向偏置條件下工作。.
◆ 使用中防止劇烈震動、沖擊,以免光窗損壞。
◆ 在貯運、使用過程中須靜電防護,以免器件失效。
器件在反向偏置條件下工作,當光照時,半導體吸收光,在耗盡層或離耗盡層一個擴散長度內產生電子-空穴對,zui后被電場分開。當載流子漂移通過耗盡層時,在外部電路中形成光電流,從而實現光電轉換。
產品應用:
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