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產品詳情
Si 二維位敏探測器 MPGD3284Y
產品特點:

大光敏面、無盲區(qū)
低暗電流、高響應度
輸出線性好、高均勻性
X、Y方向信號互不影響
位置連續(xù)變化的、可測精度小于5mm


詳細參數
技術指標(Ta=23℃)

參數

符號

測試條件

  典型值

單位

光敏面直徑

Φ

 

10'10

μm

光參數

光譜響應范圍

λ

 

  4001100

nm

響應度

Re

VR=5V,λ=900nm

0.5

A/W

響應時間

tr

VR=5V

500

nS

電參數

暗電流

ID

VR=5V

300

nA

極間阻抗R12

 

 

30

KW

位置分辨率PR

 

 

5

mm

反向擊穿電壓

VBR

IR=10μA

30

V

電容

Cj

f=1MHz,VR=40V

150

pF

工作電壓

VR

 

5

V

管座型號

 

T0-18

外型圖及使用簡圖
特性曲線
使用簡圖
注意事項:

器件在反向偏置條件下工作。.
使用中防止劇烈震動、沖擊,以免光窗損壞。
在貯運、使用過程中必須采取靜電防護措施,以免器件失效。

產品原理:

器件是利用半導體的“橫向效應”原理制作而成的,它的四個輸出電極X1、X2、Y1、Y2相當于直角坐標系的XY軸。當器件接收的目標信號光斑位置變化時,器件的輸出光電流也隨著位置變化而線性地變化,為此準確地測出目標的位置。

產品應用:


位置角度測定
跟蹤制導、定位、對準
位置偏轉、振動、三維空間目標運動軌跡的測定
自動聚焦、機器人視覺

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