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InGaAs PIN四元探測器MPGD3540T
基于InGaAs/InP MOCVD結構的平面型二極管還有φ60μm,φ75μm, φ300μm,φ500μm,φ800μm,φ1000μm,φ3000μm,φ5000μm等光敏面積直徑的系列產品,可以按用戶要求設計不同光敏面積、形狀及封裝形式的器件。
■ 平面正照結構
■ 低暗電流
■ 高均勻性
■ 高可靠性
|
參數 |
符號 |
測試條件 |
zui小 |
典型 |
zui大 |
單位 | |
|
光敏面直徑 |
Φ |
|
4×1500 |
μm | |||
|
光參數 |
光譜響應范圍 |
λ |
|
900~1700 |
nm | ||
|
響應度 |
Re |
VR=10mV,λ=1.3μm,φe=100μw |
0.85 |
0.90 |
|
A/W | |
|
VR=10mV,λ=1.3μm,φe=100μw |
0.90 |
0.95 |
| ||||
|
響應線性飽和功率 |
|
VR =10m V |
3 |
|
|
mW | |
|
電參數 |
暗電流 |
ID |
VR=10mV |
|
0.2 |
1.0 |
nA |
|
反向擊穿電壓 |
VBR |
IR=10μA |
50 |
|
|
V | |
|
電容 |
C |
f=1MHz,VR=10mV |
|
|
300 |
pF | |
|
分流電阻 |
Rsh |
|
30 |
|
|
MΩ | |
|
|
zui大額定值 |
單位 |
|
zui大額定值 |
單位 |
|
工作電壓 |
5 |
V |
功耗 |
10 |
mW |
|
正向電流 |
10 |
mA |
工作溫度 |
-40~100 |
℃ |
|
焊接條件 |
260℃,10秒 |
存儲溫度 |
-45~120 |
℃ | |
◆ 器件在零偏下使用。
◆ 使用中防止劇烈震動、沖擊,以免器件損壞。
◆ 在使用前請將光窗用酒精和脫脂棉清洗干凈。
◆ 在貯運、使用過程中必須采取嚴格的靜電防護措施,以免器件失效。
■ 激光導引頭
■ 激光經緯儀
■ 光電跟蹤
■ 定位,光電準直儀器等。