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產品詳情

InGaAs PIN四元探測器MPGD3540T

產品簡介:

基于InGaAs/InP MOCVD結構的平面型二極管還有φ60μm,φ75μm, φ300μm,φ500μm,φ800μm,φ1000μm,φ3000μm,φ5000μm等光敏面積直徑的系列產品,可以按用戶要求設計不同光敏面積、形狀及封裝形式的器件。

產品特點:

■ 平面正照結構

■ 低暗電流

■ 高均勻性

■ 高可靠性

參數詳情:
參數性能(Ta=23℃):

參數

符號

測試條件

zui小

典型

zui大

單位

光敏面直徑

Φ

 

4×1500

μm

光參數

光譜響應范圍

λ

 

9001700

nm

響應度

Re

VR=10mV,λ=1.3μmφe=100μw

0.85

0.90

 

A/W

VR=10mV,λ=1.3μmφe=100μw

0.90

0.95

 

響應線性飽和功率

 

VR =10m V

3

 

 

mW

電參數

暗電流

ID

VR=10mV

 

0.2

1.0

nA

反向擊穿電壓

VBR

IR=10μA

50

 

 

V

電容

C

f=1MHz,VR=10mV

 

 

300

pF

分流電阻

Rsh

 

30

 

 




zui大額定值


 

zui大額定值

單位

 

zui大額定值

單位

工作電壓

5

V

功耗

10

mW

正向電流

10

mA

工作溫度

-40~100

焊接條件

26010

存儲溫度

   -45~120


封裝、管殼框圖及管腳接法 (單位:mm)
特性曲線:
使用方法及注意事項:

器件在零偏下使用。
使用中防止劇烈震動、沖擊,以免器件損壞。
在使用前請將光窗用酒精和脫脂棉清洗干凈。
在貯運、使用過程中必須采取嚴格的靜電防護措施,以免器件失效。

產品應用:

激光導引頭

激光經緯儀

光電跟蹤

定位,光電準直儀器等。