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InGaAs PIN光電二極管MPGD3560J
基于InGaAs/InP MOCVD結構的平面型二極管還有φ60μm, φ75μm, φ300μm, φ800μm, φ1000μm, φ1500μm, φ3000μm，φ5000μm等光敏面積直徑的系列產品，可以按用戶要求設計不同光敏面積、形狀及封裝形式的器件。
■ 平面正照結構
■ 快響應時間
■ 低暗電流
■ 高響應度、高可靠性
|
參數 |
符號 |
測試條件 |
zui小 |
典型 |
zui大 |
單位 | |
|
光敏面直徑 |
Φ |
|
300 |
μm | |||
|
光參數 |
光譜響應范圍 |
λ |
|
900～1700 |
nm | ||
|
響應度 |
Re |
VR=10mV,λ=1.3μm，φe=100μw |
|
0.90 |
|
A/W | |
|
VR=10mV,λ=1.3μm，φe=100μw |
|
0.95 |
| ||||
|
響應時間 |
tr |
VR=5V，RL=50Ω |
|
|
1.5 |
ns | |
|
響應線性飽和功率 |
|
VR =10mV， |
2 |
|
|
mW | |
|
電參數 |
電容 |
C |
f=1MHz,VR=5V |
|
0 |
6.0 |
pF |
|
反向擊穿電壓 |
VBR |
IR=10μA |
50 |
|
|
V | |
|
暗電流 |
ID |
VR=10mV，φe=0 |
|
0.05 |
0.1 |
nA | |
|
分流電阻 |
R |
VR=10mV，φe=0 |
|
100 |
|
MΩ | |
|
|
zui大額定值 |
單位 |
|
zui大額定值 |
單位 |
|
工作電壓 |
5 |
V |
zui大耗散功率 |
20 |
mW |
|
正向電流 |
8 |
mA |
工作溫度 |
-40~100 |
℃ |
|
焊接溫度 |
260（10秒） |
℃ |
存儲溫度 |
-45~120 |
℃ |
其他封裝: 衰減膜及用戶要求的形式
◆ 器件在零偏下工作。
◆ 防止連接口內被污染。
◆ 使用中防止劇烈震動、沖擊，以免損壞。
◆ 在貯運、使用過程中必須采取嚴格的靜電防護措施，以免器件失效。
■ 光功率計量
■ 監控，光纖傳感應用
■ 光纖參數測試
■ 快速光脈沖檢測。
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